就在秦風(fēng)回到沈陽(yáng)沒(méi)幾天的時(shí)間，齊齊哈爾化工廠這邊傳來(lái)了一個(gè)好消息。
第一批黑索金炸藥正式下線，這也意味著龍國(guó)已經(jīng)具備了生產(chǎn)第二代高能炸藥的能力。
未來(lái)龍國(guó)的炮彈、火箭彈、子彈、導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部等火藥動(dòng)能武器的威力都將得到進(jìn)一步的提升。
這對(duì)于龍國(guó)的武器裝備而言，也是一個(gè)不小的全面提升，意義非凡。
在收到來(lái)自齊齊哈爾化工廠的捷報(bào)之后，秦風(fēng)倒是沒(méi)有特意去一趟，他有著更重要的事情要做。
這件事情則是和半導(dǎo)體固件產(chǎn)業(yè)息息相關(guān)。
龍國(guó)半導(dǎo)體研究所位于沈陽(yáng)皇姑屯火車站附近。
和其他研究所一樣，現(xiàn)在的半導(dǎo)體研究所相較于成立之初，規(guī)模擴(kuò)充了不少，有著三十多人的規(guī)模。
特別是隨著多所高校聯(lián)合開(kāi)辦了聯(lián)合培訓(xùn)班之后，不出幾年的時(shí)間就將有源源不斷的人才加入其中。
秦風(fēng)這次之所以來(lái)到這里，就是因?yàn)辄S工給他打了一通電話，說(shuō)是場(chǎng)效應(yīng)管，也就是MOS管已經(jīng)造出來(lái)。
在聽(tīng)到這個(gè)消息后，他馬不停蹄的趕了過(guò)來(lái)，也見(jiàn)到了他們生產(chǎn)出來(lái)的第一批MOS管。
秦風(fēng)從托盤當(dāng)中用鑷子小心翼翼夾起了一個(gè)如同米粒一般大小的晶體管。
這根晶體管呈扁平狀，同樣有著三引腳。
不過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管采用的是表面貼裝式封裝工藝，其三引腳也是貼片式的。
所以它在體型上相較于三極管要小很多。
就比如眼前這一根場(chǎng)效應(yīng)管，其引腳之間的間距僅有1.3毫米。
而三極管的三引腳屬于直插式的，間距足足有5毫米。
所以別看這兩根晶體管長(zhǎng)相差別不大，但內(nèi)在卻是天差地別。
內(nèi)在里雙極結(jié)型三極管是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)三個(gè)摻雜區(qū)域構(gòu)成，形成兩個(gè)PN結(jié)，也就是發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。
MOS管的結(jié)構(gòu)是由柵極、源極、漏極構(gòu)成。
故而這根小小的MOS管更加適用于高頻、高集成電路等應(yīng)用場(chǎng)景當(dāng)中。
而雙極結(jié)型三極管通常用于低頻、大功率場(chǎng)景。
可以說(shuō)這根小小的MOS管就是想要研制集成電路的前置科技。
當(dāng)看到這根毫不起眼的MOS管之時(shí)，秦風(fēng)深吸了一口氣，臉上盡是隱藏不住的喜色。
“黃工、王工，你們兩個(gè)可是立下了大功啊。”
黃昆聞言連連擺手道：“秦副部，要是沒(méi)有你的話，別算這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管了，就算是鍺晶體管我們估計(jì)都折騰不出來(lái)。
更何況我們也只是按照你提供的圖紙和資料把它造出來(lái)的。
要說(shuō)功勞最大的還當(dāng)屬你。”
一旁的王守武也點(diǎn)頭道：“我贊同黃工的話。”
他的話依舊還是那般簡(jiǎn)短。
秦風(fēng)則是搖頭說(shuō)道：“是你們的功勞就跑不掉，別看這根晶體管體型如此小，這可是接下來(lái)我們研制集成電路的關(guān)鍵。”
集成電路！
他們已經(jīng)不是第一次從秦風(fēng)口中以及他的資料中了解到這個(gè)集成電路了，對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)也有了一定的概念。
說(shuō)白了集成電路就是把一個(gè)電路中所需的晶體管、電容、電阻、電感等元件及布線互連在一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片上。
然后再將其封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。
是使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠方面發(fā)展的關(guān)鍵一步。
所以他們也明白集成電路對(duì)于接下來(lái)發(fā)展的意義有多重要。
“秦副部，那接下來(lái)我們的任務(wù)就是研制集成電路了嗎？可我們對(duì)于邏輯電路并不是非常精通，恐怕需要電子計(jì)算機(jī)研究所這邊的幫助。”
秦風(fēng)點(diǎn)頭道：“當(dāng)然，這項(xiàng)任務(wù)需要富拉爾基重機(jī)廠、沈機(jī)廠、無(wú)線電廠、電機(jī)所和光機(jī)所等共同協(xié)作才能完成。
我打算以你們半導(dǎo)體研究所牽頭負(fù)責(zé)成立一個(gè)集成電路攻關(guān)組，共同協(xié)助研制集成電路。”
黃昆和王守武聞言對(duì)視了一眼，雙方都能夠看待彼此眼神當(dāng)中那份掩飾不住的躍躍欲試。
“秦副部，只要有你在我們就不擔(dān)心研制不出來(lái)。
不過(guò)既然是集成電路，那需要我們做到什么程度？”
秦風(fēng)沉吟了片刻。
現(xiàn)在光機(jī)所那邊生產(chǎn)的接觸式光刻機(jī)分辨率是5-10微米，現(xiàn)在雖然已經(jīng)可以兼容2英寸和3英寸的晶圓片，但想要集成過(guò)多的晶體管邏輯門電路還是有些困難。
除非能夠研制出分辨率在2-3微米之間的接近式光刻機(jī)，但這非一朝一夕可以解決。
“先研制集成10到20個(gè)晶體管的邏輯門電路。
我給你們半年到一年的時(shí)間。
這對(duì)于你們來(lái)說(shuō)應(yīng)該沒(méi)有太大的問(wèn)題吧？”
“一年的時(shí)間嗎？我們不敢說(shuō)一定可以完成，但我們一定會(huì)盡力。”
黃工還沒(méi)有接觸到圖紙，所以他也沒(méi)有底氣說(shuō)出一定可以的保證，這也是作為科研人員的嚴(yán)謹(jǐn)。
他也做不到為了奉迎上官說(shuō)出自己做不到的承諾。
他們不清楚，秦風(fēng)自然是清楚的。
他之所以有信心在6-12個(gè)月之內(nèi)研制出，自然是因?yàn)檫@條路已經(jīng)是一條光明坦途，眼前已經(jīng)沒(méi)有了任何的阻礙。
因?yàn)橄胍兄瞥黾?0個(gè)晶體管的電路板最大的難題基本上全都已經(jīng)解決了。
首先就是難度最高的電路布局圖。
其實(shí)不用秦風(fēng)出手，電子計(jì)算機(jī)研究所的那幫數(shù)學(xué)家們就可以解決這個(gè)問(wèn)題。
然后便是將設(shè)計(jì)好的電路圖轉(zhuǎn)化為物理掩膜版，這需要確保圖案精度可以達(dá)到5-10微米，這一點(diǎn)就需要沈機(jī)廠那邊制造高精度圖形發(fā)生器，目前也只有沈機(jī)廠的高精度機(jī)床可以做到。
還有就是掩膜版還需要精度很高的光學(xué)透鏡。
現(xiàn)在光機(jī)所那邊為鷹擊反艦導(dǎo)彈研制紅外導(dǎo)引頭研制的光學(xué)透鏡可以直接用到這上面。
接下來(lái)就是晶圓制備與預(yù)處理，而這就涉及到了晶圓廠。
目前半導(dǎo)體研究所這邊下屬的晶圓廠規(guī)模還是比較小的。
接下來(lái)要搞集成電路的話，晶圓廠的規(guī)模就要做的更大，而且還需要制作2英寸和3英寸的晶圓，這樣可以增加集成度。
這第四步就是光刻與蝕刻了。
目前所裝備的接觸式光刻機(jī)以及濕法蝕刻機(jī)前幾個(gè)月就開(kāi)始量產(chǎn)，這最難的一步反而是可以直接越過(guò)。
第五步是摻雜和薄膜沉積，用的還是制造晶體管時(shí)現(xiàn)成的工藝。
第六步是金屬化與互連。
原理和制造晶體管時(shí)是一樣的。
真空蒸發(fā)臺(tái)沉積鋁金屬層——光刻、蝕刻定義導(dǎo)線圖案——電鍍?cè)O(shè)備加厚金屬層。
這一步同樣也已經(jīng)解決。
第七步則是測(cè)試與封裝。
這里需要用到探針測(cè)試臺(tái)用于檢測(cè)電路。
最后就是用陶瓷封裝技術(shù)，用陶瓷-金屬封裝工藝制成所需的電路板。
所以這個(gè)集成電路項(xiàng)目唯一需要新增的設(shè)備其實(shí)就是將電路圖轉(zhuǎn)化為物理掩膜版的高精度圖形發(fā)生器。
這也是秦風(fēng)有信心在6個(gè)月時(shí)間就研制出集成電路的信心所在。